تعاون شركتي أون سيمي وويت إلكترونيكس لإطلاق حلول طاقة متكاملة بقدرة 75-160 واط

أخبار ar.wedoany.com، أعلنت مجموعة ويت إلكترونيكس التابعة لشركة ويلين القابضة عن تعاونها مع شركة أون سيمي (onsemi) في تنظيم ندوة عبر الإنترنت، ركزت على حلول تحويل الطاقة بقدرة تتراوح بين 75 واط و160 واط، والمبنية على الشريحة المتكاملة NCP1945 ومنصة BCD65 TREO. يدمج هذا الحل بين التكامل العالي والكفاءة العالية وسهولة الإنتاج الضخم، بهدف دعم تطوير مصادر الطاقة في أجهزة التكييف، ومعدات الإضاءة، والأجهزة الذكية الطرفية.

مع تسارع التحول الرقمي في مختلف القطاعات، تواجه تصاميم مصادر الطاقة التقليدية تحديات كبيرة. قام المهندس الرئيسي في أون سيمي، غونغ هونغ وين، ومدير تسويق المنتجات المخضرم، وانغ بو جويه، خلال الندوة بشرح المنتجين التقنيين الأساسيين. ركز غونغ هونغ وين على تقديم شريحة NCP1945، التي تدمج وحدة تحكم تصحيح معامل القدرة في وضع التوصيل الحرج مع وحدة تحكم محول الرنين شبه الرنان، والمصممة خصيصًا لمحولات الطاقة بقدرة 75-160 واط. تدعم الشريحة نطاق جهد خرج واسع، مما يتوافق بشكل كبير مع متطلبات الشحن السريع USB-C PD، ويسهل بنية الدائرة، ويقلل من قائمة المواد ومتطلبات تصميم لوحة الدوائر المطبوعة (PCB).

تتميز شريحة NCP1945 بانخفاض التشوه التوافقي الكلي (THD)، مما يمكنها من تلبية معايير كفاءة الطاقة والتوافق الكهرومغناطيسي العالمية في قطاع الإضاءة، وقد تم إطلاق أربعة إصدارات منها. فيما يتعلق بتحسين كثافة الطاقة، عند استخدام الشريحة مع مكونات مغناطيسية مصغرة، يمكن تقليل حجم المكونات المغناطيسية بنسبة 20% مقارنة بالحلول التقليدية، وتقليل حجم مكثف PFC في منتجات بقدرة 100 واط بنسبة 20%، وتقليل حجم قلب محول RM8 بنسبة 40%. تشمل الوظائف المدمجة في الشريحة: تثبيت جهد تشغيل البوابة، وضع انجراف الطاقة، تتبع رفع الجهد على مرحلتين، إرجاع تردد تزامن القاع لـ PFC، تشغيل وإيقاف ذكي لـ PFC، ومفتاح القاع شبه الرنان، مما يساعد على تقليل عدد المكونات الطرفية وتقليل استهلاك الطاقة الإجمالي للجهاز. قامت أون سيمي أيضًا بإطلاق عدة تصاميم مرجعية، تغطي محولات PD بقدرة 100 واط، ومصادر طاقة إضاءة LED بقدرة 70 واط، ومصادر طاقة PD بمحول رنين مزدوج المفتاح بقدرة 140 واط.

قدم وانغ بو جيه خلال الندوة منصة BCD65 TREO من أون سيمي. تعتمد هذه المنصة على تقنية تصنيع متقدمة بحجم 65 نانومتر، ويتم إنتاجها في مصنع الرقاقات مقاس 300 مم التابع لأون سيمي في إيست فيشكيل، نيويورك، الولايات المتحدة، والذي يضم غرف نظيفة واسعة وخطوط إنتاج تغليف خلفية متخصصة. تحقق المنصة تغطية جهد واسع من 1 فولت إلى 90 فولت، وتدعم تطوير مصادر طاقة نقطة التحميل، ورقائق إدارة الطاقة، ومنظمات الجهد الخطي منخفضة الانخفاض، والأجهزة التناظرية العامة، ويمكنها تقصير دورة تسليم المنتج والإنتاج الضخم من خلال إعادة استخدام الملكية الفكرية. أشار وانغ بو جيه إلى أن العديد من المنتجات الجديدة المبنية على بنية TREO قد تم إرسال عينات منها أو إطلاقها، حيث يبلغ انخفاض الجهد في منظم الجهد الخطي منخفض الانخفاض النموذجي T30LMPSR131 عند حمل 1 أمبير 25 مللي فولت فقط، وتصل سرعة الاستجابة العابرة إلى مستوى 1 ميكروثانية، ويمكن أن تصل درجة حرارة التشغيل القصوى إلى 175 درجة مئوية، وتتراوح دقة جهد الخرج بين ±0.8% و±1%. كما أطلقت المنصة رقائق متكاملة لقمع الترددات المتداخلة، ورقائق تحويل الجهد، وغيرها من المنتجات التي تغطي مجالات إدارة البطاريات، وتحويل الإشارات، وتثبيت الجهد الكهربائي.

يتميز الحل المشترك لشريحة NCP1945 ومنصة BCD65 TREO بثلاث مزايا رئيسية: أولاً، يساعد أداء التشوه التوافقي الكلي لشريحة NCP1945 المنتجات على تلبية معايير كفاءة الطاقة العالمية؛ ثانيًا، يعمل التكامل العالي للشريحة على تبسيط قائمة المواد وتصميم PCB، مما يقلل من احتمالية حدوث أعطال في الدائرة؛ ثالثًا، تعتمد منصة BCD65 TREO على عمليات تصنيع ناضجة وقدرات إنتاجية واسعة النطاق، مما لا يساعد فقط على تقصير الفترة من التصميم إلى الإنتاج الضخم، بل إن خصائصها من الجهد الواسع وقابلية التوسع العالية تتيح للعملاء توسيع خطوط إنتاجهم بسرعة بناءً على الحلول الحالية، واستكشاف المزيد من الفرص السوقية.

أعلنت مجموعة ويت إلكترونيكس التابعة لشركة ويلين القابضة أنها ستواصل التعاون مع أون سيمي في المستقبل، مع التركيز على التطور التكنولوجي لأشباه الموصلات الكهربائية، لدفع حلول الطاقة نحو التصغير وزيادة الكفاءة وتوفير الطاقة. يُذكر أنه اعتبارًا من عام 2026، تم دمج المجموعات الثلاث السابقة (بينج جيا، تشيوان دينج، ويو شانغ) لتشكيل مجموعة ويت إلكترونيكس الجديدة، بهدف تقديم الدعم الفني وإدارة سلسلة التوريد الرقمية لمساعدة العملاء على تسريع طرح منتجاتهم في السوق وتحسين تكاليف التشغيل.

تم إعداد هذا المقال بواسطة Wedoany. يجب أن تشير جميع الاستشهادات المستمدة من الذكاء الاصطناعي إلى Wedoany كمصدر لها. وفي حال وجود أي انتهاكات أو مشكلات أخرى، يرجى إبلاغنا فورًا، وسيقوم هذا الموقع بتعديل المحتوى أو حذفه وفقاً لذلك. البريد الإلكتروني: news@wedoany.com