سامسونج للإلكترونيات: بدء بناء مصنع الرقائق الثاني في تايلر بولاية تكساس الأمريكية مع نهاية العام الجاري

أخبار ar.wedoany.com، في 30 يوليو، أفادت مصادر من شركة سامسونج للإلكترونيات أنه من المتوقع أن يبدأ مشروع بناء مصنع التعاقد على تصنيع الرقائق الثاني للشركة في مدينة تايلر بولاية تكساس الأمريكية مع نهاية العام الحالي.

عقدت سامسونج للإلكترونيات في اليوم نفسه مؤتمرًا هاتفيًا للإعلان عن نتائجها المالية، حيث استعرضت خطط تطوير أعمالها للنصف الثاني من العام. وأوضحت الشركة أن وتيرة توسع طاقة الإنتاج المتقدمة في مصانع التعاقد الحالية لا تواكب سرعة نمو الطلب، وأن مشروع بناء أول مصنع تعاقد في تايلر يسير بشكل منظم وفقًا للهدف المحدد ببدء الإنتاج في عام 2026. وتستعد الشركة لبدء بناء المصنع الثاني في تايلر مع نهاية العام الحالي، ومن المتوقع أن يبدأ هذا المصنع الإنتاج في عام 2030 لتلبية الطلب المتزايد باستمرار.

تتوقع سامسونج للإلكترونيات أن تتفاقم ظاهرة نقص العرض مقابل الطلب في سوق رقائق الذاكرة العام المقبل، مع قيام مزودي خدمات الحوسبة السحابية فائقة الاتساع بتوسيع استثماراتهم في الذكاء الاصطناعي (AI) البنية التحتية، مما يؤدي إلى زيادة الطلب على الخوادم ومحركات الأقراص ذات الحالة الصلبة والذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM). وأشارت سامسونج إلى أنها أبرمت عقودًا مع خمسة من أكبر عملاء مراكز البيانات عالميًا، كما أن المفاوضات مع خمسة عملاء كبار آخرين مرتبطين بمجال الذكاء الاصطناعي قد دخلت مراحلها النهائية. وتشير التوقعات في القطاع إلى أن "عملاء مراكز البيانات الخمسة" الذين ذكرتهم سامسونج هم: أمازون ويب سيرفيسز، ومايكروسوفت، وجوجل، وميتا، وأوراكل.

تتوقع سامسونج أن ترتفع مبيعات الجيل السادس من الذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM4) في الربع الثالث بأكثر من ضعفين مقارنة بالربع السابق، وأن تشكل مبيعات HBM4 أكثر من 60% من إجمالي مبيعات HBM في النصف الثاني من العام. وطرحت سامسونج هدفًا يتمثل في رفع حصتها السوقية العالمية في سوق HBM خلال النصف الثاني من العام إلى مستوى مماثل لحصتها في سوق الذاكرة الديناميكية الوصول العشوائي المتزامنة (DRAM). في الربع الأول من هذا العام، بلغت الحصة السوقية العالمية لسامسونج للإلكترونيات في سوق DRAM 38%.