Sivers وSemiNex تطلقان برنامجًا لمصادر الضوء بتقنية InP بقيمة نحو 3.4 ملايين دولار، مع بدء الإنتاج الضخم في النصف الثاني من 2027

أخبار ar.wedoany.com، أعلنت شركتا Sivers Semiconductors وSemiNex عن إطلاق برنامج جديد لمصادر الضوء بتقنية فوسفيد الإنديوم (InP) من الجيل التالي، موجه لتطبيقات الربط البيني في مراكز البيانات الخاصة بالذكاء الاصطناعي، بقيمة عقد أولية تبلغ نحو 3.4 ملايين دولار أمريكي. تُعد Sivers Semiconductors شركة متخصصة في تقنيات الفوتونيات والاتصالات اللاسلكية، بينما تركز SemiNex على تطوير ليزرات InP عالية الطاقة، وليزرات التغذية الراجعة الموزعة (DFB)، ومضخمات الضوء شبه الموصلة (SOA)، والليزرات ذات التجويف الخارجي.

يركز البرنامج على ثلاثة اتجاهات تطبيقية رئيسية: مصادر الليزر الخارجية عالية الطاقة اللازمة لتقنية التغليف الضوئي المشترك (CPO)، ومصفوفات ليزرات DFB عالية القنوات المستخدمة في وصلات تعدد الإرسال بتقسيم الطول الموجي (WDM)، ومراحل كسب مضخمات SOA لإطالة مسافات النقل البصري. ومع انتقال المكونات الضوئية من مستوى اللوحة إلى مستوى التغليف، تزداد أهمية القدرة لكل طول موجي وكفاءة التحويل الكهروضوئي والاستقرار الحراري في قابلية توسعة البنية المعمارية، حيث أصبحت مصادر الضوء قضية تصميم على مستوى النظام وليست مجرد مسألة اختيار مكونات.

يستهدف البرنامج إرسال العينات للعملاء والبدء المبكر في رفع الإنتاج الضخم خلال النصف الثاني من عام 2027.

صرّح Vickram Vathulya، الرئيس التنفيذي لشركة Sivers Semiconductors، بأن مصادر الضوء المتقدمة اللازمة لشبكات الجيل التالي في مصانع الذكاء الاصطناعي لا تقل أهمية عن مكونات الحوسبة والذاكرة والفوتونيات السيليكونية، وأكد على أهمية التعاون مع SemiNex، سعيًا إلى توفير حلول مصادر ضوء تنافسية على نطاق السوق من خلال الجمع بين تقنيات الشركتين.

أشار Ronald Moore، الرئيس التنفيذي لشركة SemiNex، إلى أن الطبقة الضوئية أصبحت عاملًا مقيدًا لتوسعة البنية التحتية للذكاء الاصطناعي، حيث تحتاج الصناعة إلى قدرة أعلى وكفاءة أكبر عبر أطوال موجية متعددة، ولا يمكن تحقيق ذلك بمجرد زيادة كثافة تشغيل المكونات الحالية، بل تنبع هذه التحسينات من تطويرات في تصميم وعمليات تصنيع مادة InP نفسها، وهو ما يمثل محور تركيز التعاون بين فريقي الشركتين.