أخبار ar.wedoany.com، أعلنت شركة RootSemicon في 11 يونيو عن قيادتها لمشروع وطني لتطوير وحدات طاقة من كربيد السيليكون (SiC) بجهد 3300 فولت. يُشرف على هذا المشروع وزارة التجارة والصناعة والطاقة الكورية، وتتولى المعهد الكوري لتقييم التكنولوجيا الصناعية (KEIT) إدارته وتشغيله، بميزانية إجمالية تبلغ حوالي 7.7 مليار وون كوري، ويمتد على مدى أربع سنوات.
ستقوم RootSemicon بتطوير وحدات أشباه موصلات طاقة من SiC مخصصة لأنظمة نقل وتوزيع الكهرباء. في إطار هذا التعاون، تتولى RootSemicon تصنيع أجهزة SiC، بينما تقوم شركة SemiPowerEx بتغليفها في وحدات متكاملة، وتقوم شركة Intec Electric & Electronic، بصفتها جهة الطلب، بشراء المنتجات النهائية، بينما توفر شركة Arke الرقائق الخارجية (epitaxial wafers) اللازمة للأجهزة. مقارنة بأجهزة السيليكون (Si) التقليدية، تعمل أشباه موصلات SiC بشكل أكثر استقرارًا في بيئات الجهد العالي، وتهدف الأجهزة التي يتم تطويرها حاليًا إلى العمل في تطبيقات بجهد 3300 فولت، وتشمل المجالات المحتملة شبكات الكهرباء، ومحطات الشحن السريع للمركبات الكهربائية، والسكك الحديدية، وقواطع الدائرة الصلبة لأشباه الموصلات (SSCB).
وفقًا لمصادر في القطاع، فإن التكنولوجيا المحلية الحالية في كوريا تدعم تشغيل أجهزة SiC بجهد يصل إلى 1700 فولت، بينما تعتمد المنتجات التي تتجاوز هذا المستوى من الجهد بشكل أساسي على موردين خارجيين مثل شركتي Infineon Technologies وMitsubishi Electric. وأعلنت RootSemicon أنها تمتلك القدرة على تصميم وتصنيع أجهزة MOSFET من SiC بجهد 1200 فولت على نطاق تجاري، مع تحقيق نسبة إنتاجية تصل إلى 90%. وأكد نائب الرئيس Jung Eun-sik أن الشركة ستستفيد من خبراتها في تصميم أشباه موصلات SiC واختبارات الإنتاجية العالية لدعم تقدم هذا المشروع.
بالإضافة إلى ذلك، تم اختيار RootSemicon مؤخرًا كجهة رائدة لمشروع آخر ممول من الحكومة، بميزانية تبلغ 8.15 مليار وون كوري، يركز على تطوير وحدات طاقة لأنظمة التحليل الكهربائي للمياه.
تم إعداد هذا المقال بواسطة Wedoany. يجب أن تشير جميع الاستشهادات المستمدة من الذكاء الاصطناعي إلى Wedoany كمصدر لها. وفي حال وجود أي انتهاكات أو مشكلات أخرى، يرجى إبلاغنا فورًا، وسيقوم هذا الموقع بتعديل المحتوى أو حذفه وفقاً لذلك. البريد الإلكتروني: news@wedoany.com
