أخبار ar.wedoany.com، أطلقت شركة Applied Materials, Inc. نظامين جديدين لتصنيع الرقائق، يهدفان إلى معالجة التحديات التي تواجه عمليات التصنيع الدقيق في هياكل أشباه الموصلات ثلاثية الأبعاد المتقدمة. هذان النظامان، المخصصان للترسيب والنقش، يساعدان مصنعي الرقائق على تحقيق مزيد من التصغير في مجالي المنطق والتخزين، مما يوفر أداءً أعلى وكفاءة طاقة أفضل وإنتاجية تصنيع محسّنة لرقائق الجيل التالي من الذكاء الاصطناعي.
يؤدي التزايد الهائل في الحوسبة المعتمدة على الذكاء الاصطناعي إلى تسريع تحول الصناعة نحو هياكل الأجهزة ثلاثية الأبعاد المتقدمة، مثل ترانزستورات البوابة الشاملة (GAA) وذاكرة NAND ثلاثية الأبعاد عالية الطبقات. مع ازدياد عمق وضيق الميزات داخل هذه الهياكل الرأسية، تواجه عمليات الترسيب والنقش التقليدية صعوبة في توزيع المواد بشكل متساوٍ من الأعلى إلى الأسفل، مما يؤدي إلى تباين يقلل من الأداء الكهربائي والإنتاجية. لمواجهة هذا التحدي، تقدم Applied Materials نظامي الترسيب Centris™ Spectral™ SiN ALD والنقش Producer™ Selectra™ Mo. يعمل هذان النظامان معًا على تزويد مصنعي الرقائق بالتحكم الدقيق في ترسيب الأغشية العازلة وإزالة المعادن داخل الهياكل عالية النسبة الباعية، مما يحقق هندسة مواد أكثر تجانسًا، ويدعم استمرار التصغير ثلاثي الأبعاد، ويؤدي إلى أداء أفضل للأجهزة، وتحكم أكثر صرامة في العملية، وقابلية تصنيع محسّنة.
صرح الدكتور برابو راجا، رئيس مجموعة منتجات أشباه الموصلات في Applied Materials، أنه مع دفع الصناعة لحدود الحوسبة بالذكاء الاصطناعي، تظهر أكبر الفرص في مجال هندسة المواد. يحتاج مصنعو الرقائق إلى أساليب جديدة لترسيب المواد وإزالتها بشكل انتقائي بدقة داخل الهياكل ثلاثية الأبعاد المعقدة، وتوفر الأنظمة الجديدة قدرات متمايزة تساعد العملاء على تجاوز عقبات التصغير وتسريع الابتكار. يستخدم نظام Centris Spectral SiN ALD تقنية بلازما ميكروويف عالية الكثافة ومبتكرة، تتيح ترسيب أغشية عالية الجودة من نيتريد السيليكون (SiN) داخل الهياكل العميقة والضيقة، مما يلغي المفاضلة بين كثافة البلازما والتلف الناتج عن الأيونات في الطرق التقليدية. يمكن لهذا النظام تحقيق ترسيب كثيف ومتجانس لـ SiN في درجات حرارة منخفضة، وهو مناسب للتصغير المستمر لذاكرة DRAM والأجهزة المنطقية، مثل تشكيل بطانات تلامس عالية الجودة في ترانزستورات GAA لتقليل المقاومة والسعة. يعتمد النظام على منصة Spectral ALD الجديدة من Applied Materials، والتي تستخدم أحدث تصميم بأربعة مفاعلات، مزودة بقدرات دقيقة لتوصيل المواد الكيميائية، وقدرات متعددة للبلازما والمعالجة الحرارية، وأجهزة مخصصة لعمليات ALD الزمنية والمكانية، مما يتيح إنشاء مجموعة متنوعة من الأغشية المتقدمة لتشغيل رقائق الذكاء الاصطناعي المتطورة. تم اعتماد نظام Spectral SiN ALD من قبل كبار مصنعي الرقائق.
يقدم نظام Producer Selectra Mo للنقش قدرة جديدة على الإزالة الانتقائية للمعادن، مما يحقق فصلًا دقيقًا وموحدًا لخطوط الكلمات عبر كومة NAND ثلاثية الأبعاد بأكملها. من خلال التحكم الهندسي في العملية وتوصيل الغاز المتقدم، يتغلب هذا النظام على قيود النقش الرطب في الميزات العميقة، محققًا تجانسًا استثنائيًا من الأعلى إلى الأسفل ودقة في الشكل، مما يساعد على تقليل تيار التسرب وتحسين قدرة الاحتفاظ بالبيانات. تم التحقق من صحة تقنية النقش الانتقائي Selectra Mo في الإنتاج بكميات كبيرة، مما يدعم الانتقال من العمليات الرطبة التقليدية إلى تصغير الجيل التالي من ذاكرة NAND ثلاثية الأبعاد، ويوسع مجموعة منتجات Selectra من تطبيقات العوازل والسيليكون إلى التكامل المعدني المتقدم، مما يفتح آفاقًا جديدة في مجالات NAND وDRAM ومنطق التصنيع التعاقدي.
ستعرض Applied Materials هذه الابتكارات في ندوة IEEE VLSI للتكنولوجيا والدوائر لعام 2026 (2026 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits)، وستعقد حلقة نقاش في 16 يونيو لاستكشاف كيفية تحسين هندسة الأنظمة وتقنيات المنطق والتخزين والتغليف المتقدم والتصنيع بشكل مشترك لدفع الحوسبة المعتمدة على الذكاء الاصطناعي.
تم إعداد هذا المقال بواسطة Wedoany. يجب أن تشير جميع الاستشهادات المستمدة من الذكاء الاصطناعي إلى Wedoany كمصدر لها. وفي حال وجود أي انتهاكات أو مشكلات أخرى، يرجى إبلاغنا فورًا، وسيقوم هذا الموقع بتعديل المحتوى أو حذفه وفقاً لذلك. البريد الإلكتروني: news@wedoany.com
