سامسونج تعلن عن خطة لإنتاج رقاقات NAND بسعة 1000 طبقة، وزيادة السعة أربعة أضعاف بحلول عام 2030

أخبار ar.wedoany.com، أعلنت شركة سامسونج (Samsung) خلال ندوة VLSI لعام 2026 (VLSI Symposium 2026) عن خارطة طريق الجيل التالي من تقنية SSD، والتي تخطط من خلالها لتكديس ما يصل إلى 1000 طبقة من ذاكرة NAND فلاش، مما سيجعل سعة تخزين SSD تصل إلى أربعة أضعاف الطرازات الحالية، ويمهد الطريق لتوفير سعات تصل إلى 32 تيرابايت لمحركات الأقراص الاستهلاكية.

لا تعتزم سامسونج تصنيع رقاقة واحدة بسعة 1000 طبقة، بل ستستخدم تقنية الربط المتعدد للخلايا (Cell-Multi Bonding، CMB) لربط كومتين مستقلتين من NAND بسعة تتراوح بين 450 و500 طبقة معًا. وأشارت الشركة إلى أن الطلب على محركات SSD عالية السعة يتزايد بسرعة مع نمو احتياجات التخزين لأحمال عمل الذكاء الاصطناعي ومراكز البيانات والمؤسسات. وتعمل سامسونج على تسريع خارطة طريق تطوير NAND، حيث تخطط لتحقيق 420 طبقة بحلول عام 2029، وأكثر من 560 طبقة بحلول عام 2030، ثم تتجاوز 1000 طبقة في أوائل العقد التالي.

يواجه بناء رقاقات NAND بمئات الطبقات العديد من التحديات، وأكبرها هو انحناء الرقاقة مما يؤدي إلى انخفاض دقة التصنيع. وقد حسّنت سامسونج استقرار الرقاقة أثناء عملية الإنتاج من خلال تصميم جديد لـ"المشبك العلوي" (Upper Chuck)، وطوّرت تقنيات متقدمة لتصحيح المحاذاة لتقليل أخطاء التطابق. تهدف هذه التحسينات إلى جعل تصنيع NAND فائقة التكديس أكثر عملية وتقليل التحديات الإنتاجية.

قال المحلل التقني الدكتور إيان كاتريس (Dr. Ian Cutress) إن دمج كومتين من NAND بسعة 450 طبقة في كومة واحدة باستخدام تقنية الربط المتعدد للخلايا يمكن أن يزيد السعة بشكل كبير. على سبيل المثال، يمكن لمحرك SSD بسعة 8 تيرابايت بتقنية QLC الحالية أن يتوسع إلى 32 تيرابايت باستخدام بنية سامسونج المستقبلية ذات 1000 طبقة.

في سباق تطوير ذاكرة NAND عالية الكثافة، سبقت شركة SK هاينكس (SK Hynix) في تسويق تقنية NAND ذات 321 طبقة، وتعمل على تطوير NAND بسعة 400 طبقة باستخدام عملية الربط الهجين (Hybrid Bonding). بينما تستكشف سامسونج تقنية الربط العمودي (Vertical Bonding). وقد أنتجت الشركة الصينية المصنعة للذاكرة يانغتسي ميموري تكنولوجيز (YMTC) رقاقات NAND بسعة 232 و294 طبقة، وتستثمر في مرافق جديدة لتوسيع الطاقة الإنتاجية.

لا تزال تقنية NAND ذات 900 إلى 1000 طبقة من سامسونج في مرحلة النموذج الأولي، ومن المتوقع أن تطرح المنتجات التجارية حوالي عام 2030. وقبل ذلك، تخطط الشركة لإطلاق رقاقات NAND تتجاوز 400 طبقة في السنوات القليلة القادمة، لتحقيق الهدف طويل المدى المتمثل في توفير سعات تخزين تتجاوز بكثير الطرازات الحالية بشكل تدريجي.

تم إعداد هذا المقال بواسطة Wedoany. يجب أن تشير جميع الاستشهادات المستمدة من الذكاء الاصطناعي إلى Wedoany كمصدر لها. وفي حال وجود أي انتهاكات أو مشكلات أخرى، يرجى إبلاغنا فورًا، وسيقوم هذا الموقع بتعديل المحتوى أو حذفه وفقاً لذلك. البريد الإلكتروني: news@wedoany.com