شركة روم اليابانية تطلق الجيل الرابع من ترانزستورات IGBT بجهد 650 فولت، مع خسائر منخفضة مناسبة للتطبيقات المركبة وتتوافق مع معيار AEC-Q101

أخبار ar.wedoany.com، أعلنت شركة روم (ROHM) اليابانية في 18 الجاري عن تطوير الجيل الرابع من ترانزستورات IGBT (الترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة) بجهد تحمل 650 فولت، والمخصصة لتطبيقات مثل الضواغط الكهربائية المركبة، وسخانات المركبات الكهربائية الهجينة (HV)، ومحولات التيار في المعدات الصناعية. ويتميز هذا الجيل بأقل خسائر على مستوى المنتجات المركبة بجهد 650 فولت في القطاع، إلى جانب قدرة عالية على تحمل قصر الدائرة، ويتوافق مع معيار الموثوقية المركبة AEC-Q101.

من خلال تحسين بنية المكونات بما في ذلك العمليات والهياكل المحيطة، تم رفع كثافة التيار وتقليل خسائر التوصيل وخسائر التبديل. ويبلغ جهد تشبع VCE الذي يمثل انخفاض خسائر التوصيل 1.55 فولت.

عند درجة حرارة الوصلة (Tj) البالغة 25 درجة مئوية، يضمن المنتج قدرة تحمل قصر الدائرة لمدة 7 ميكروثانية، وهي خاصية عادة ما تكون في علاقة مقايضة مع الخسائر المنخفضة. وتساهم هذه الخاصية في تعزيز كفاءة وموثوقية التطبيقات.

تشمل تشكيلة المنتجات 12 طرازًا من حزمة TO-247N من نوع RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR، و10 طرازات من الرقائق العارية من نوع SG83xxWN. كما يجري تطوير 12 طرازًا من حزمة TO-247-4L من نوع RGAxxTR65HR/RGAxxTR65EHR.

بدأ الإنتاج الضخم للمنتجات الجديدة في مايو بطاقة إنتاجية تبلغ مليون وحدة شهريًا. كما أن منتجات حزمة TO-247N متاحة للبيع عبر الإنترنت. وقد تم تجهيز جميع النماذج التصميمية والمواد اللازمة لتصميم الدوائر، ويمكن تنزيلها من الموقع الرسمي لشركة روم (ROHM).

تعتزم روم مستقبلًا توسيع نطاق الطرازات ضمن نفس الحزمة، وتخطط لتطوير منتجات IGBT صغيرة الحجم للتثبيت السطحي باستخدام حزمة TO-263L وحزمة التبريد العلوي (TSC=Top-Side Cooling)، بهدف تعزيز تشكيلة منتجات IGBT عالية الأداء.

تم إعداد هذا المقال بواسطة Wedoany. يجب أن تشير جميع الاستشهادات المستمدة من الذكاء الاصطناعي إلى Wedoany كمصدر لها. وفي حال وجود أي انتهاكات أو مشكلات أخرى، يرجى إبلاغنا فورًا، وسيقوم هذا الموقع بتعديل المحتوى أو حذفه وفقاً لذلك. البريد الإلكتروني: news@wedoany.com