DARPA وBAE تكملان المرحلة الأولى من تبريد أجهزة GaN بزيادة الكثافة القدرية خمسة أضعاف
2026-08-17 09:51
المفضلة

أخبار ar.wedoany.com، أكملت منظمة أبحاث FAST Labs التابعة لشركة BAE Systems المرحلة الأولى من مشروع "تقنيات إزالة الحرارة في الإلكترونيات على مستوى الرقاقة" (Technologies for Heat Removal in Electronics at the Device Scale، THREADS) التابع لوكالة مشاريع الأبحاث المتقدمة للدفاع الأمريكية (DARPA)، وتم اختيارها للمرحلة الثانية. يركز هذا المشروع على معضلة تبديد الحرارة في أجهزة نيتريد الغاليوم (GaN)، وهي أجهزة تُستخدم على نطاق واسع في أنظمة الرادار عالية الأداء، والحرب الإلكترونية، وأنظمة الاتصالات.

DARPA وBAE Systems تتغلبان على تحديات تبديد الحرارة في أجهزة GaN الإلكترونية من الجيل التالي

يؤدي رفع القدرة في الترانزستورات عالية التردد إلى توليد مزيد من الحرارة، وإذا لم يتم تصريف هذه الحرارة بفعالية، فإن أداء الترانزستور وموثوقيته سينخفضان، ولذلك غالباً ما تجد الأجهزة الإلكترونية صعوبة في العمل عند حدود قدرتها النظرية. أطلقت DARPA مشروع THREADS بهدف معالجة مشكلة التبريد من داخل الجهاز نفسه، بدلاً من الاعتماد فقط على أنظمة التبريد التقليدية المثبتة خارج الجهاز. يواجه المشروع تحديين تقنيين رئيسيين: الأول هو خفض المقاومة الحرارية داخل الترانزستور مع الحفاظ على الأداء الكهربائي؛ والثاني هو تصريف الحرارة بكفاءة من مناطق الترانزستور عالية القدرة دون الإضرار بالأداء عالي التردد.

يُعد GaN شبه موصل واسع الفجوة النطاقية، يمكنه العمل عند كثافات قدرة وترددات أعلى، مما يجعله مناسباً للرادارات الحديثة ذات المسح الإلكتروني النشط (AESA) وأنظمة الحرب الإلكترونية. وقد أشارت DARPA سابقاً إلى أن الكثافة القدرية لتقنية GaN ارتفعت بأكثر من خمسة أضعاف مقارنة بتقنيات الترانزستور المبكرة، لكن إذا تم التغلب على عنق الزجاجة في التبريد، فهناك مجال أكبر للنمو من الناحية النظرية. تهدف DARPA من مشروع THREADS إلى خفض المقاومة الحرارية بمقدار ثمانية أضعاف، والوصول بالكثافة القدرية لأجهزة اختبار الترانزستورات ومضخمات القدرة بنطاق التردد X إلى 81 واط/مم.

لحل مشكلة التبريد تأثير كبير على الأداء على مستوى النظام. وقد قدرت DARPA سابقاً أن معالجة القيود الحرارية يمكن أن تزيد مدى اكتشاف الرادار بمقدار مرتين إلى ثلاث مرات. ويُظهر أحدث تحديث للوكالة أن المشاركين في مشروع THREADS تمكنوا في المرحلة الأولى من رفع الكثافة القدرية عالية التردد بنحو خمسة أضعاف مقارنة بأحدث المستويات الحالية، وهو ما يعادل تقريباً مضاعفة مدى اكتشاف الرادار مع الحفاظ على الموثوقية المطلوبة للاستخدام العملياتي. ومع ذلك، لن تحقق كل رادار يعتمد تقنية THREADS تلقائياً مضاعفة المدى، إذ يعتمد الأداء الفعلي للرادار أيضاً على خصائص الهوائي، والتردد، وحجم الهدف، والظروف الجوية، ومعالجة الإشارات وعوامل أخرى.

تتابع BAE Systems الأعمال ذات الصلة في مركزها للإلكترونيات الدقيقة الواقع في ناشوا بولاية نيوهامبشير، والذي يقوم بتطوير وتصنيع دوائر GaN وأرسينيد الغاليوم المتكاملة للتطبيقات الدفاعية. ويُجرى مشروع THREADS بالتعاون مع شركة Modern Microsystems وباحثين من جامعة ولاية بنسلفانيا، وجامعة ستانفورد، وجامعة نوتردام، وجامعة تكساس في دالاس.

يُعد مشروع THREADS جزءاً من أبحاث طويلة الأمد لتعزيز قدرات تبديد الحرارة في أجهزة GaN الإلكترونية. وقد عرضت DARPA سابقاً من خلال مشروع "نقل الحرارة القريب من الوصلة" (Near Junction Thermal Transport) ترانزستورات GaN قائمة على ركائز الماس، مستفيدةً من الموصلية الحرارية العالية للماس لخفض درجة حرارة وصلة الترانزستور. وبناءً على ذلك، يواصل مشروع THREADS دراسة المواد، وهياكل الأجهزة، وطرق التبريد المباشر على مستوى الترانزستور. بالنسبة لشركة BAE Systems، فإن الانتقال إلى المرحلة الثانية يعني الانتقال من الأبحاث الأولية إلى مزيد من التطوير والتحقق من صحة الحلول التقنية، بهدف نهائي لا يقتصر على الحصول على ترانزستورات بدرجات حرارة أقل فحسب، بل تحقيق أجهزة عالية التردد قادرة على إنتاج قدرة أعلى بكثير دون زيادة الحجم، أو المساس بالموثوقية، أو الخضوع للقيود الحرارية.

تم تجميع هذه الأخبار القصيرة وإعادة نشرها من للمعلومات من الإنترنت العالمي والشركاء الاستراتيجيين، وهي مخصصة فقط للقراء للتواصل، إذا كان هناك أي انتهاكات أو مشاكل أخرى، فيرجى إبلاغنا في الوقت المناسب، وسنقوم بتعديلها أو حذفها. يُمنع منعًا باتًا إعادة نشر هذه المقالة دون إذن رسمي. البريد الإلكتروني: news@wedoany.com

المنتجات ذات الصلة

مقياس الانعكاس البصري في المجال الزمني 6422 (OTDR) - Ceyear Technologies Co., Ltd.
مشروع التركيبات الكهروميكانيكية لمشروع تصنيع مواد أشباه الموصلات المركبة المتقدمة وأجهزة الرقائق. - Wuhan Huakang Century Clean Technology Co., Ltd.
نظام التحكم الكهروهيدروليكي من نوع SAC للدعم الهيدروليكي - Beijing Tianma Intelligent Control Technology Co., Ltd.
مصفوفة فرعية Tx - هوائي مصفوفة طورية في نطاق Ka - COXSAT TECHNOLOGY CO., LTD.
الألياف الضوئية أحادية الوضع G.652B - SHENZHEN SDG INFORMATION CO., LTD.
حل منع تسرب البيانات في بيئة العمل المكتبية - Sangfor Technologies Inc.
برنامج خادم التطبيقات Baolande V9.5 - Beijing Baolande Software Corporation
مركبة Xinshiqi ذاتية القيادة X3 ذات صندوق الحمولة - Neolix Beijing Technology Co., Ltd.
برج اتصالات بأربعة أعمدة لخط مخصص للركاب - Henan Dingli Pole & Tower Co., Ltd.
نظام المراقبة الذكي لأحزمة النقل - LUO YANG WIRE ROPE INSPECTION TECHNOLOGY CO., LTD.
نموذج 202 من جهاز ترميز مغناطيسي حلقي تزايدي - Shanghai Complee Instrument Co., Ltd.
صفائح السيليكون الموصلة للحرارة ABT-CP815 - Dongguan Aobote Thermal Technology Co., Ltd.
قراءات ذات صلة
توسعة مصنع إن إكس بي في ماليزيا تنطلق بإضافة 500 ألف قدم مربع وبدء الإنتاج في 2028
2026-08-14
شركة TIER IV اليابانية تنضم إلى برنامج أشباه الموصلات للذكاء الاصطناعي الطرفي، وتفتح مصدر شريحة القيادة الذاتية
2026-08-14
دمج حزمة تطوير التصميم الضوئي (PDK) من OpenLight في منصة PH18DA لشركة Tower Semiconductor
2026-08-12
إس كيه هاينيكس تستأنف الاستثمار في مصنعها الثاني للذاكرة NAND في الصين، بطاقة إنتاجية مرتقبة بزيادة 50%
2026-08-12
شركة Vertilite الصينية تستثمر 5 مليارات يوان في قاعدة رقائق الاتصالات الضوئية في تشانغتشو
2026-08-12
BTQ تنجز التحقق من بنية التشفير ما بعد الكمي 28 نانومتر
2026-08-11
مايكروسوفت الأمريكية تعتزم إطلاق شريحة Maia 300 في سبتمبر
2026-08-11
سوني اليابانية وTSMC تخططان لاستثمار تريليون ين ياباني في الإنتاج الضخم لمستشعرات الصور
2026-08-10
تسلا وسبيس إكس تخططان لاستثمار 16.8 مليار دولار لبناء مصنع للرقائق الإلكترونية
2026-08-08
شركة أنثروبيك الأمريكية تشكّل فريقًا هندسيًا لتصميم رقائق الذكاء الاصطناعي ذاتيًا
2026-08-06