أخبار ar.wedoany.com، أعلنت شركة ميكرون تكنولوجي عن خطة استثمارية طويلة الأجل داخل الولايات المتحدة تتجاوز قيمتها 250 مليار دولار، وهو ارتفاع ملحوظ مقارنة بهدفها السابق البالغ 200 مليار دولار في العام الماضي. تهدف هذه الخطة إلى نقل 40% من إنتاج الشركة من رقائق الذاكرة الديناميكية الوصول العشوائي (DRAM) إلى داخل الأراضي الأمريكية.
في التاسع من يوليو، كشفت ميكرون تكنولوجي عن خططها لاستثمار أكثر من 250 مليار دولار في الولايات المتحدة بحلول عام 2035، وذلك لبناء مصانع وتطوير التقنيات. تشمل المشاريع المحددة إنشاء ثاني مصنع متطور لتصنيع رقائق الذاكرة في مدينة بويزي بولاية أيداهو، بالإضافة إلى توسعة منشأة قائمة في مدينة ماناساس بولاية فرجينيا. علاوة على ذلك، سيتم تخصيص عشرات المليارات من الدولارات للبحث والتطوير التقني.
كجزء من هذه الخطة الاستثمارية، أعلنت ميكرون تكنولوجي عن استثمار يصل إلى 3 مليارات دولار في الولايات المتحدة لتعزيز النظام البيئي لسلسلة توريد أشباه الموصلات الأمريكية، وبناء قدرات تصنيعية حيوية لأشباه الموصلات اللازمة للابتكار التقني المستقبلي، وتلبية الطلب على الذاكرة المتقدمة من الذكاء الاصطناعي والتطبيقات الأخرى كثيفة البيانات. من هذا المبلغ، تم تخصيص 500 مليون دولار لتوفير تمويل استراتيجي لشركة جلوبال ويفرز (GlobalWafers)، لدعم بناء مصنعها لتصنيع رقائق السيليكون الأولية مقاس 300 ملم في مدينة شيرمان بولاية تكساس. كما وقعت الشركتان اتفاقية توريد لمدة عشر سنوات لضمان حصول ميكرون على طاقة إنتاجية كافية من رقائق السيليكون، وتخططان للتعاون في تطوير الجيل التالي من تقنيات الرقائق والابتكار في العمليات الإنتاجية.
عند افتتاح التداول في التاسع من يوليو، ارتفع سهم ميكرون تكنولوجي بأكثر من 7%، لتصل قيمتها السوقية إلى 1.2 تريليون دولار.
قبل الإعلان عن هذه الخطة الاستثمارية، كانت الحكومة الكورية الجنوبية قد تعاونت في التاسع والعشرين من يونيو مع مجموعة سامسونج ومجموعة إس كيه، للإعلان عن خطة استثمارية محلية للشركات بقيمة إجمالية تبلغ 4755 تريليون وون كوري، تركز على ثلاثة أنواع رئيسية من المشاريع: أشباه الموصلات، والذكاء الاصطناعي المادي، ومراكز بيانات الذكاء الاصطناعي. من بينها، تخطط المنطقة الجنوبية الغربية من كوريا الجنوبية لاستثمار 800 تريليون وون كوري (حوالي 518 مليار دولار) لبناء أربعة مصانع لأشباه الموصلات، تتولى شركتا سامسونج إلكترونيكس (005930.KS) وإس كيه هاينكس (000660.KS) مسؤولية اثنين منها لكل منهما. على وجه التحديد، تخطط إس كيه هاينكس لاستثمار 1100 تريليون وون كوري لتوسيع إمدادات رقائق DRAM وذاكرة NAND فلاش، بينما تخطط سامسونج لاستثمار 400 تريليون وون كوري في مدينة غوانغجو لبناء مصنع جديد لتصنيع الرقائق، واستثمار 56 تريليون وون كوري في مدينتي تشونان وأونيانغ لبناء مصنع جديد لذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM).
تعد شركات سامسونج إلكترونيكس وإس كيه هاينكس وميكرون تكنولوجي أكبر ثلاث شركات مصنعة لرقائق DRAM في العالم، وتظهر هذه الخطط الاستثمارية عزم هذه الشركات العالمية على توسيع طاقتها الإنتاجية من رقائق الذاكرة وتعزيز قدرات التصنيع المحلية. وأشار المحلل شو جيايوان من شركة تريند فورس (TrendForce) للاستشارات إلى أن خطط توسيع الطاقة الإنتاجية لكل مورد ستعتمد في النهاية على التنفيذ الفعلي وهيكل العملاء.
شركة تشانغشين للذاكرة (CXMT) الصينية لتصنيع رقائق DRAM بدأت إجراءات الطرح العام الأولي (IPO) في بورصة شانغهاي للابتكار العلمي والتكنولوجي (Sci-Tech Innovation Board)، بهدف جمع 29.5 مليار يوان صيني من الاكتتاب العام الأولي، سيتم استخدام الأموال في ترقية تقنيات ذاكرة DRAM، والبحث والتطوير في التقنيات المستقبلية، بالإضافة إلى مشاريع ترقية وتطوير خطوط الإنتاج الضخمة لتصنيع الرقائق.
