أخبار ar.wedoany.com، أعلنت شركة Agnit Semiconductors، المتخصصة في منتجات أشباه الموصلات من نتريد الغاليوم (GaN) ومقرها بنغالورو الهندية، في 23 يوليو 2026، أنها تستعد لجولة تمويل جديدة، وتخطط لتقييم جدوى إنشاء مصنع لتصنيع رقائق GaN في إطار مبادرة "Semicon 2.0" الجديدة التي أطلقتها الحكومة الهندية. وأوضح هاريش تشاندراسيكار، الرئيس التنفيذي للشركة، أن الشركة تسعى إلى التعاون مع شركات كبرى أو جمع رأس مال كافٍ بشكل مستقل، لتقديم مقترح إنشاء المصنع فور الإعلان الرسمي عن إرشادات مبادرة Semicon 2.0.
تأسست شركة Agnit Semiconductors في عام 2019 (أي منذ حوالي 7 سنوات)، وهي شركة ناشئة في مجال أشباه الموصلات، انبثقت من المعهد الهندي للعلوم. تغطي أعمال الشركة سلسلة القيمة الكاملة لتصميم وتصنيع مواد GaN والرقائق والمكونات الإلكترونية، وتستهدف منتجاتها بشكل أساسي تطبيقات الترددات الراديوية. وتعمل الشركة حاليًا على خمسة مشاريع تجريبية مع جهات من بينها مؤسسات دفاعية، تشمل تطبيقات مثل الرادارات وأجهزة التشويش وأنظمة الاتصالات اللاسلكية، وقد دخل اثنان من منتجاتها مرحلة التصنيع والاختبار الميداني. كما بدأت الشركة في تصدير رقائق GaN بشكل تجريبي إلى شركاء تصنيع دوليين، وهو ما يُعد، وفقًا للشركة، أول تصدير من نوعه لشركة خاصة هندية.
وبحسب ما كشفت عنه الشركة، فقد جمعت Agnit Semiconductors حتى الآن تمويلات إجمالية تبلغ حوالي 7.47 مليون دولار أمريكي، من مستثمرين من بينهم 3one4 Capital وZephyr Peacock وShastra VC. وتخطط الشركة لتوسيع طاقتها الإنتاجية لمكونات GaN إلى حوالي 100 ألف قطعة خلال العامين المقبلين، والانتقال من النشر التجريبي إلى الإنتاج التجاري. وأشار تشاندراسيكار إلى أن الشركة تجري تجارب مع العملاء وتحصل على ردود فعل إيجابية، وبمجرد الحصول على طلبات بكميات كبيرة، سيؤدي ذلك إلى توسيع محفظة المنتجات، وستكون جولة التمويل القادمة "أكبر بشكل ملحوظ" من الجولات السابقة.
تأتي خطة إنشاء المصنع كاستجابة من Agnit Semiconductors لمبادرة "Semicon 2.0" الحكومية الهندية، التي تمت الموافقة عليها في يوليو 2026، وتركز على دعم المواد المتقدمة، ومرونة سلسلة التوريد، وتنمية المواهب. وأوضح تشاندراسيكار أن التركيز الجديد للمبادرة على المواد وسلاسل التوريد يتوافق بشكل كبير مع أهداف الشركة طويلة المدى في التصنيع. وتقوم الشركة حاليًا بتقييم خيارين: الأول هو المشاركة كمزود للتكنولوجيا لصالح مصنع كبير للتصنيع التعاقدي، والثاني هو إنشاء مصنع مستقل.
نتريد الغاليوم (GaN) هو مادة شبه موصلة ذات فجوة نطاق عريضة، وتتمتع بقدرة أعلى على معالجة الطاقة وكفاءة أفضل مقارنة بأشباه الموصلات التقليدية القائمة على السيليكون، مما يجعلها ذات آفاق تطبيقية واسعة في المجالات الإلكترونية عالية الأداء مثل أنظمة الرادار وأجهزة التشويش ومعدات الاتصالات اللاسلكية. ووفقًا لتوقعات مؤسسات أبحاث الصناعة، من المتوقع أن يصل الطلب العالمي على سوق GaN إلى 51.35 مليار دولار أمريكي بحلول عام 2035.
