إس كيه هاينيكس وسان ديسك تعلنان عن معيار HBF في الولايات المتحدة بسعة قصوى تبلغ 512 جيجابايت

أخبار ar.wedoany.com، أعلنت شركة إس كيه هاينيكس (SK Hynix) في 4 أغسطس أنها بالتعاون مع شركة سان ديسك (SanDisk) كشفت النقاب عن أول مواصفة قياسية لتقنية الذاكرة عالية النطاق الترددي الجديدة (HBF، High Bandwidth Flash). صدرت هذه المواصفة في اليوم الافتتاحي لمعرض FMS 2026 الذي يُعقد في سانتا كلارا بولاية كاليفورنيا، وذلك بعد ستة أشهر فقط من إبرام التحالف بين الشركتين.

تستهدف تقنية HBF موقعًا وسيطًا بين الذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM) وأقراص الحالة الصلبة (SSD)، حيث تتميز الأولى بسرعة معالجة البيانات بينما تتفوق الثانية بسعة التخزين الكبيرة. ومع استمرار توسع نماذج الاستدلال في مجال الذكاء الاصطناعي والتضخم السريع في حجم البيانات، أصبحت بنى الذاكرة الحالية عاجزة عن تلبية متطلبات السرعة والسعة في آن واحد. تعتمد تقنية HBF على تكوينات تكديس من 8 طبقات و16 طبقة من شرائح NAND، وتدعم سعة قصوى تبلغ 512 جيجابايت، وتوفر نطاقًا تردديًا يتراوح بين 0.4 تيرابايت و3.0 تيرابايت في الثانية حسب مستويات الأداء.

من أجل تعزيز انتشار التقنية، يركز هذا المعيار أيضًا على بناء نظام بيئي مفتوح. فمن خلال اعتماد واجهة UCIe القياسية الصناعية، تستطيع تقنية HBF الاتصال بمرونة مع أنواع متعددة من المعالجات مثل وحدات معالجة الرسومات (GPU) ووحدات المعالجة المركزية (CPU)، وقد صدرت المواصفات ذات الصلة عن منظمة OCP (مشروع الحوسبة المفتوحة، Open Compute Project)، وهي أكبر منظمة تعاون لمراكز البيانات في العالم. وفي الوقت الحالي، انضمت شركتا جوجل (Google) وTenstorrent إلى تحالف HBF للمضي قدمًا في تطوير التقنية.

طرحت شركة إس كيه هاينيكس في موقع المعرض رؤيتها حول ضرورة بناء بنية ذاكرة هرمية لمواكبة عصر "الذكاء الاصطناعي الوكيل". وسيلقي كل من رئيس القسم كيم تشون سونغ والمدير كانغ أوك سونغ كلمتين رئيسيتين، حيث يريان أن الحجم المتضخم بسرعة للبيانات لا يمكن لأي منتج تخزين منفرد مواجهته، وأن دمج أنواع متعددة من الذاكرات ذات الخصائص المتنوعة وتحسينها في إطار موحد يُعد حجر الأساس للبنية التحتية للذكاء الاصطناعي من الجيل القادم.

وستتواصل أيضًا مناقشات التعاون مع كبرى شركات التقنية العالمية. ففي 6 أغسطس ستُعقد حلقة نقاشية تركز على كسر "جدار الذاكرة"، بمشاركة ممثلين عن جوجل ديب مايند (Google DeepMind) وشركة سان ديسك، حيث سيناقش ممثلو الشركات العاملة في مجالات الذاكرة والتخزين وبرمجيات الذكاء الاصطناعي التغييرات البنيوية وتحسينات الأداء التي قد تُحدثها تقنية HBF في بيئات الخدمة الفعلية.

كما شهد جناح المعرض عرضًا فعليًا لتقنية NAND من الجيل الجديد. فقد عرضت شركة إس كيه هاينيكس علنًا ولأول مرة في العالم رقاقة ومنتج ذاكرة 4D NAND من الجيل العاشر (V10) بسعة 375 طبقة قيد التطوير، ويتميز هذا المنتج بأداء أعلى بمقدار 2.5 مرة لكل واط مقارنة بالجيل السابق، وقد تم تحسينه ليتلاءم مع بيئات مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي الحساسة لاستهلاك الطاقة.

وتخطط الشركة لبدء الإنتاج الضخم لأقراص الحالة الصلبة للمؤسسات عالية الأداء (eSSD) المعتمدة على ذاكرة NAND بسعة 375 طبقة في مطلع العام المقبل.

وقال كيم تشون سونغ: "إن الانتشار الواسع للذكاء الاصطناعي يجعل إعادة التصميم الجذرية لبنية معالجة البيانات أمرًا ضروريًا. ومن خلال تقنية HBF، نأمل في كسر الحدود بين الذاكرة والتخزين، والمساهمة في تحسين الكفاءة العامة للأنظمة."