أخبار ar.wedoany.com، من المتوقع أن يحقق الاستثمار العالمي في معدات تصنيع أشباه الموصلات مقاس 300 ملم في قطاع الذاكرة رقماً قياسياً جديداً في عام 2026، ليصل إلى 52 مليار دولار أمريكي، وهي المرة الأولى التي يتجاوز فيها الاستثمار السنوي حاجز 50 مليار دولار.
وفقاً لأحدث إصدار من تقرير "توقعات مصانع الرقاقات مقاس 300 ملم" للربع الثاني من عام 2026، الصادر عن الرابطة الدولية لصناعة أشباه الموصلات (SEMI)، من المتوقع أن ترتفع نفقات معدات مصانع رقاقات الذاكرة مقاس 300 ملم عالمياً بنسبة 29% في عام 2026، لتصل إلى 52 مليار دولار. ويتنبأ تقرير SEMI أيضاً بأن هذا الاستثمار سيزداد بنسبة 11% أخرى في عام 2027، ليصل إلى 57 مليار دولار.
تعكس دورة الاستثمار القوية هذه قيام قطاع أشباه الموصلات بتركيز موارده لتوسيع طاقة إنتاج الذاكرة المتقدمة، وذلك لدعم التطور السريع لتطبيقات الذكاء الاصطناعي، والبنية التحتية السحابية، والحوسبة عالية الأداء. وتظهر بيانات SEMI أن معدل النمو السنوي المركب (CAGR) لنفقات معدات مصانع رقاقات الذاكرة مقاس 300 ملم عالمياً، خلال الفترة من 2024 إلى 2029، من المتوقع أن يصل إلى 19%.
يدفع الارتفاع الكبير في الطلب على الذكاء الاصطناعي إلى طلب غير مسبوق على حلول الذاكرة عالية الأداء، مثل ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM)، وذاكرة DRAM المتقدمة، وذاكرة الفلاش NAND ثلاثية الأبعاد من الجيل التالي. ونتيجة لهذا الدافع، من المتوقع أن تصل الطاقة الإنتاجية العالمية لتصنيع ذاكرة الرقاقات مقاس 300 ملم إلى 4.1 مليون رقاقة شهرياً في عام 2026، وأن ترتفع إلى 4.2 مليون رقاقة شهرياً في عام 2027.
أشار أجيت مانوتشا، الرئيس التنفيذي لرابطة SEMI، إلى أن الطلب القوي على ذاكرة HBM وتقنيات الذاكرة المتقدمة الأخرى يعيد تشكيل محور الاستثمار في سلسلة توريد أشباه الموصلات بأكملها بشكل جذري. إن التوسع المستمر في نشر البنية التحتية للذكاء الاصطناعي يدفع مصنعي الذاكرة إلى تسريع استثماراتهم في الطاقة الإنتاجية والانتقال التكنولوجي، لتلبية متطلبات التطبيقات كثيفة البيانات بشكل متزايد.
على صعيد القطاعات الفرعية، من المتوقع أن يرتفع الاستثمار في معدات تصنيع ذاكرة DRAM بنسبة 29% في عام 2026، ليصل إلى 37 مليار دولار. ويعود هذا النمو بشكل أساسي إلى الطلب القوي على ذاكرة HBM وDDR5 من منصات معالجات الرسوميات (GPU) ومسرعات الذكاء الاصطناعي، التي توفر القدرة الحاسوبية لأعباء عمل الذكاء الاصطناعي التوليدي.
من المتوقع أيضاً أن يشهد الاستثمار في معدات ذاكرة NAND ثلاثية الأبعاد نمواً كبيراً، حيث سيرتفع بنسبة 28% في عام 2026 ليصل إلى 14 مليار دولار. ويعكس هذا النمو التوسع المستمر في الطلب من الشركات ومزودي الخدمات السحابية فائقة الاتساع ومطوري الذكاء الاصطناعي على بنية تحتية ضخمة وعالية السرعة للتخزين، وذلك نتيجة لنشر نماذج ذكاء اصطناعي أكبر حجماً.
صرحت SEMI بأن الاستثمار المستمر في تقنيات DRAM ذات العقد المتقدمة، وذاكرة HBM، وتقنيات NAND ثلاثية الأبعاد ذات الطبقات الأعلى، يعمل على تحسين آفاق الطاقة الإنتاجية العالمية للذاكرة. ومع ذلك، لا يزال التوسع الفعال في الطاقة الإنتاجية مقيداً بتعقيدات الانتقال التكنولوجي وعمليات التصنيع المرتبطة بالعقد المتقدمة لـ DRAM، وتكامل HBM، والانتقال إلى NAND ذات الطبقات الأعلى.
فيما يتعلق بكبار موردي المعدات، تعمل شركة Applied Materials على توسيع قدراتها التصنيعية والبحثية، بما في ذلك استثمار 500 مليون دولار في التوسع في سنغافورة، وإطلاق أنظمة هندسة مواد جديدة تستهدف رقائق الذكاء الاصطناعي، وذاكرة DRAM المتقدمة، وذاكرة HBM، والتغليف المتقدم. تواصل شركة Lam Research الاستثمار في معدات ذاكرة DRAM المتقدمة وHBM وNAND ثلاثية الأبعاد، وتوسيع نطاق تقنياتها لدعم NAND ذات الطبقات الأعلى وتصغير حجم الذاكرة المتقدمة. تزيد شركة Tokyo Electron من استثماراتها في حلول تصنيع أشباه الموصلات المعتمدة على الذكاء الاصطناعي، مع التركيز على عمليات DRAM المتقدمة وHBM وNAND من الجيل التالي. وسعت شركة KLA مجموعة منتجاتها من أنظمة الفحص والمقاييس المستخدمة في تصنيع HBM وDRAM المتقدمة وNAND ثلاثية الأبعاد. تواصل شركة ASML زيادة شحنات أنظمة الطباعة الحجرية بالضوء فوق البنفسجي الشديد (EUV) المتقدمة المستخدمة في إنتاج DRAM الرائد وHBM. عززت شركة ASM International مجموعتها من تقنيات الترسيب الذري للطبقات (ALD) والترسيب فوق المحفز (Epitaxy)، والتي أصبحت ذات أهمية متزايدة لتصغير DRAM المتقدم، وتصنيع HBM، وأجهزة الذاكرة من الجيل التالي.
تقود هذه الموجة الحالية من الاستثمارات بشكل أساسي أكبر مصنعي DRAM وNAND في العالم. تستثمر شركة Samsung Electronics، أكبر منتج لرقائق الذاكرة عالمياً، بكثافة في توسيع إنتاج DRAM المتقدم وHBM وNAND ثلاثية الأبعاد، وتخطط لبناء مصنعين جديدين لأشباه الموصلات، وذلك كجزء من خطة وطنية لكوريا الجنوبية لدعم النظام البيئي لأشباه الموصلات المعتمدة على الذكاء الاصطناعي، بقيمة 800 تريليون وون كوري (حوالي 518 مليار دولار أمريكي). تقوم شركة SK Hynix بتوسيع إنتاجها من ذاكرة HBM4 وDRAM المتقدمة وتقنيات ذاكرة الذكاء الاصطناعي، وتخطط لبناء منشأتين تصنيعيتين جديدتين بموجب خطة التوسع الكورية لأشباه الموصلات. تتوقع شركة Micron Technology إنفاقاً رأسمالياً يبلغ حوالي 10 مليارات دولار في عام 2026، لتوسيع إنتاج HBM وطاقة إنتاج DRAM المتقدمة، وقد وقعت اتفاقيات توريد طويلة الأجل بقيمة 22 مليار دولار مع 16 عميلاً استراتيجياً، مع مواصلة توسيع عملياتها التصنيعية في الولايات المتحدة وسنغافورة. تواصل شركة Kioxia الاستثمار في تقنية BiCS NAND ثلاثية الأبعاد من الجيل التالي وخطوط الإنتاج المتقدمة مقاس 300 ملم. تستثمر شركة Western Digital وفقاً لخريطة الطريق الخاصة بتقنية NAND لتلبية الطلب على محركات الأقراص ذات الحالة الصلبة (SSD) للمؤسسات وتخزين الذكاء الاصطناعي. تواصل شركة Yangtze Memory Technologies (YMTC) توسيع إنتاجها المحلي من ذاكرة NAND ثلاثية الأبعاد، كجزء من استراتيجية الصين للاكتفاء الذاتي في مجال أشباه الموصلات.
