شركة تشانغشين للتكنولوجيا الصينية تدفع قدماً بتحديث خطوط إنتاج DRAM واسعة النطاق وتطوير التقنيات المتقدمة

أخبار ar.wedoany.com، أعلنت شركة تشانغشين للتكنولوجيا، إحدى شركات رقائق الذاكرة الصينية، عن اتجاهاتها التقنية للمرحلة القادمة، والتي تخطط من خلالها للتركيز على تحديث خطوط الإنتاج واسعة النطاق لتصنيع رقائق الذاكرة، وتطوير تقنيات ذاكرة DRAM، بالإضافة إلى إجراء أبحاث متقدمة في مجال ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية. تغطي هذه الترتيبات تحديث خطوط الإنتاج الحالية، وتحسين عمليات التصنيع، وتطوير تقنيات جديدة، مع التركيز على تعزيز القدرة على الإنتاج واسع النطاق لرقائق الذاكرة وبناء الأساس للتطوير المستقبلي للمنتجات.

يُعد تحديث وتطوير خطوط الإنتاج واسعة النطاق لتصنيع رقائق الذاكرة أحد المحاور الأساسية لهذه الجولة من البناء. تتضمن عملية إنتاج DRAM مراحل تصنيع متعددة مثل الطباعة الضوئية، والحفر، وترسيب الأغشية الرقيقة، وحقن الأيونات، والتنظيف، والفحص. ولا يقتصر تحديث خطوط الإنتاج على مجرد زيادة عدد المعدات، بل يتطلب تعديلاً متزامناً للعمليات الإنتاجية، وإيقاع الإنتاج، ومعايير المعدات، ونظام مراقبة الجودة. بالنسبة لشركات رقائق الذاكرة التي دخلت بالفعل مرحلة الإنتاج واسع النطاق، يجب أن يهدف تحديث خطوط الإنتاج أيضاً إلى تقليل التأثير على الإنتاج الحالي قدر الإمكان، مع إتمام عمليات التحقق، ورفع الإنتاجية، والتشغيل المستقر بعد إدخال المعدات والعمليات الجديدة.

ستعمل تشانغشين للتكنولوجيا في الوقت نفسه على دفع تطوير تقنية ذاكرة DRAM. تُستخدم ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية على نطاق واسع في الخوادم، وأجهزة الكمبيوتر الشخصية، والأجهزة الطرفية المتنقلة، ومراكز البيانات، وتؤثر سعتها وعرض نطاقها الترددي واستهلاكها للطاقة واستقرارها بشكل مباشر على أداء تشغيل الأنظمة الحاسوبية وأنظمة الحوسبة. مع تزايد متطلبات أداء التخزين من قبل الذكاء الاصطناعي، والحوسبة السحابية، والحوسبة عالية الأداء، تحتاج منتجات DRAM إلى تحقيق تكامل أوثق بين تصميم الرقائق، وعمليات التصنيع، واختبار التغليف، والتكيف مع الأنظمة، وذلك لتلبية متطلبات التطبيقات مثل عرض النطاق الترددي العالي، والسعة الكبيرة، وانخفاض استهلاك الطاقة.

بالمقارنة مع تحديث خطوط الإنتاج واسعة النطاق، تركز الأبحاث المتقدمة في مجال ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية بشكل أكبر على بناء القدرات التقنية على المدى المتوسط والطويل. قد تشمل الأعمال ذات الصلة اتجاهات مثل بنية خلايا الذاكرة، وأنظمة المواد، والمسارات التقنية، وهياكل المنتجات، وتتطلب المرور بعدة مراحل تشمل تصميم المخططات، وتصنيع العينات، واختبار الأداء، والتحقق من الموثوقية. فقط عندما تتمكن نتائج الأبحاث من اجتياز التحقق الهندسي والارتباط بنظام التصنيع الحالي، يمكنها الانتقال إلى خطوط الإنتاج واسعة النطاق والتطبيقات النهائية.

صرح السيد تشو يي مينغ، رئيس مجلس إدارة شركة تشانغشين للتكنولوجيا، بأن الطاقة الإنتاجية الحالية للشركة تحتل المرتبة الأولى في الصين والرابعة عالمياً. مع تقدم مشاريع تصنيع الرقائق وتطوير التقنيات، ستنتقل الاحتياجات ذات الصلة إلى حلقات مثل تصميم رقائق الذاكرة، وبرامج EDA، ومعدات أشباه الموصلات، والمواد، والمكونات، وتصنيع الوحدات، وتطبيقات الأجهزة الطرفية النهائية. بالنسبة لموردي المعدات والمواد، تشمل النقاط الجديرة بالمتابعة في المرحلة اللاحقة نطاق تحديث خطوط الإنتاج، وإيقاع إدخال المعدات، ومتطلبات التكيف مع العمليات، وتقدم رفع الإنتاجية.

من منظور سلسلة الصناعة، يتطلب تعزيز القدرة على إنتاج DRAM واسع النطاق تعاوناً مشتركاً بين معدات التصنيع، والمواد الرئيسية، والمكونات، وأنظمة الاختبار. تحتاج معدات الطباعة الضوئية، والحفر، والترسيب، والفحص إلى التكيف مع متطلبات العمليات الجديدة، بينما يجب على موردي المواد ضمان استقرار واتساق المنتجات المطلوبة أثناء عملية تصنيع الرقائق. كما يحتاج مصنعو الوحدات والأجهزة الطرفية إلى إتمام التحقق من الأنظمة بناءً على الجيل الجديد من منتجات التخزين. يعتمد نجاح مشاريع تشانغشين للتكنولوجيا اللاحقة على ما إذا كان يمكن إتمام التطوير التقني، وإدخال المعدات، والتحقق من الإنتاج، والتنسيق في سلسلة التوريد بشكل متزامن.

تشير اتجاهات البناء المعلنة هذه المرة إلى أن تشانغشين للتكنولوجيا ستواصل في المرحلة القادمة تركيز مواردها على ثلاثة محاور رئيسية: تصنيع رقائق الذاكرة، وتطوير تقنية DRAM، والأبحاث المتقدمة. تشمل التطورات الرئيسية اللاحقة بدء تحديث خطوط الإنتاج واسعة النطاق، وتركيب المعدات وتعديلها، والتحقق من العمليات، ورفع الإنتاجية، وتحويل نتائج الأبحاث. ستؤثر هذه النقاط بشكل مباشر على قدرة الشركة في تصنيع رقائق الذاكرة وسرعة تطوير منتجاتها.