تعتزم سامسونج الكورية الجنوبية اعتماد عملية تصنيع 3 نانومتر من TSMC لإنتاج شرائح HBM المخصصة لشركة NVIDIA

أخبار ar.wedoany.com، في 18 أكتوبر، أظهرت معلومات من صناعة أشباه الموصلات الكورية الجنوبية أن سامسونج للإلكترونيات تعتزم اعتماد عملية تصنيع 3 نانومتر من TSMC لإنتاج قوالب القاعدة (Base Die) لذاكرة النطاق الترددي العالي المخصصة من الجيل القادم NVHBM لشركة NVIDIA. وقد طلبت NVIDIA من سامسونج للإلكترونيات وSK Hynix وMicron اعتماد عملية 3 نانومتر من TSMC بشكل موحد لتصنيع قوالب القاعدة، واستخدام عملية DRAM من الجيل السادس بفئة 10 نانومتر (1c) لإنتاج قوالب الذاكرة الأساسية. ويُذكر أن سامسونج قبلت هذه المتطلبات بعد مراجعة داخلية، ومن المقرر أن يتعاون الطرفان لأول مرة في مرحلة تصنيع شرائح HBM.

كانت سامسونج تعتمد سابقاً نموذج التصنيع الذاتي، حيث يتولى قطاع أعمالها لتصنيع أشباه الموصلات (Foundry) إنتاج قوالب القاعدة لـ HBM، بينما يتولى قطاع أعمال الذاكرة تصنيع القوالب الأساسية. حالياً، تعتمد منتجات HBM4 لدى سامسونج ومنتج HBM4E الذي يجري التحقق من إنتاجه بكميات كبيرة على عملية 4 نانومتر الخاصة بها لتصنيع قوالب القاعدة، بينما تُنتَج القوالب الأساسية في خطوط إنتاج DRAM بتقنية 1c في مصنعي هواسونغ وبيونغتيك. ووفقاً للخطة المعلنة، ستواصل سامسونج الاحتفاظ بنموذج التصنيع الذاتي في منتجات HBM القياسية والمنتجات المخصصة لعملاء آخرين مثل AMD.

أطلقت NVIDIA تقنية NVHBM في 26 أغسطس، وهي تدمج وحدة تحكم ذاكرة مخصصة في قالب القاعدة لـ HBM. ووفقاً لتصميم البنية المعلن، مقارنةً بـ HBM4E القياسي، يمكن لـ NVHBM زيادة عرض النطاق الترددي للذاكرة لكل مكدس بنسبة تصل إلى 30%، وخفض استهلاك الطاقة لـ HBM بنسبة 15%، وتحرير ما يصل إلى 25% من مساحة شريحة الحوسبة XPU. وتخطط NVIDIA لأن تقدم عدة موردي ذاكرة منتجات NVHBM ببنية موحدة، مما يقلل من أعمال التوافق والتحقق بين منتجات المصنعين المختلفين.

كانت سامسونج وTSMC قد تعاونتا سابقاً في مجال عمليات التغليف المتقدمة اللازمة لتوصيل HBM بوحدات معالجة الرسومات. ويمتد ترتيب التصنيع المقترح حالياً ليشمل إنتاج قوالب القاعدة. كما أفاد خبراء في صناعة أشباه الموصلات الكورية الجنوبية بأن سامسونج تتحقق من جدوى استخدام عملية تصنيع 2 نانومتر الخاصة بها لإنتاج قوالب القاعدة لـ NVHBM، وذلك لمواجهة القيود المحتملة في قدرة التوريد لخطوط إنتاج TSMC ذات الصلة في المستقبل.