أخبار ar.wedoany.com، عدّلت شركة SK Hynix خطة منتجها من الجيل التالي لذاكرة 3D-NAND، حيث ستعتمد منتجات الجيل V10 على تقنية تكديس 375 طبقة، وسيُستخدم الموليبدينوم (Molybdenum) في العملية ليحل محل جزء من أغشية التنجستن، وذلك لمواجهة تحديات التوصيل الكهربائي الناتجة عن زيادة عدد الطبقات.
وقد وصلت منتجات الجيل V9 من الشركة إلى 321 طبقة، وهو أعلى عدد طبقات تم تحقيقه في الإنتاج الضخم لذاكرة NAND حتى الآن. وتبلغ الزيادة في عدد الطبقات من V9 إلى V10 حوالي 54 طبقة، وهو رقم متحفظ نسبيًا. ووفقًا لتقرير من موقع The Elec الكوري نقلاً عن مصادر صناعية، كانت SK Hynix قد حددت سابقًا 400 طبقة كهدف للجيل V10، لكنها خفضت هذا الهدف بسبب "صعوبات التصنيع". وعلى النقيض، قفزت منتجات الجيل العاشر من منافستها سامسونج (Samsung) من 286 طبقة (V9) إلى أكثر من 400 طبقة، ويُقدر أن تكون حوالي 430 طبقة.
مع زيادة عدد طبقات خلايا التخزين، يزداد تعقيد التوصيلات الكهربائية. تستخدم SK Hynix في هيكلها المكون من 375 طبقة مادة الموليبدينوم لتحل محل جزء من أغشية التنجستن في خطوط الكلمات (word lines). يستمر عرض الأسلاك في التقلص، مما يؤدي إلى ارتفاع مقاومة التنجستن، مما يؤثر على نقل الإشارات؛ بينما يتمتع الموليبدينوم بمقاومة أقل، مما يساعد على تحسين سرعات القراءة والكتابة. بالإضافة إلى ذلك، لا يتطلب الموليبدينوم طبقة حاجزة (barrier layer) إضافية أثناء الترسيب كما هو الحال مع التنجستن، ويمكن تشكيل الغشاء مباشرة، مما يساعد على تحقيق هيكل أعلى كثافة. ومع ذلك، يشير التقرير إلى أن العملية الجديدة تتطلب تقنية عالية في التنفيذ.
وفقًا لخارطة طريق SK Hynix، أفادت مصادر صناعية أن الأجيال اللاحقة (يُعتقد أنها V11 وV12) ستشهد زيادة أخرى في عدد الطبقات، لتصل إلى 480 طبقة و608 طبقات على التوالي. من جانب سامسونج، فقد نجحت مؤخرًا في تحقيق تكديس 900 طبقة في التجارب الأولية، لكن هذه النتيجة لا تزال بعيدة عن الإنتاج الضخم.
فيما يتعلق بالجدول الزمني للإنتاج الضخم، تظهر المعلومات التي جمعتها مؤسسة أبحاث السوق TrendForce أن رقاقات NAND ذات 375 طبقة من SK Hynix من المتوقع أن تدخل مرحلة الإنتاج الضخم في نهاية عام 2026؛ بينما تخطط سامسونج لرقاقات NAND ذات أكثر من 400 طبقة في النصف الثاني من عام 2026؛ وقد يبدأ الإنتاج الضخم لـ BiCS10 (332 طبقة) من شركة كيوكسيا (Kioxia) خلال السنة المالية 2026 أو أوائل عام 2027. على الرغم من أن عدد الطبقات أقل نسبيًا، إلا أن BiCS10 التي عرضتها كيوكسيا بالتعاون مع شريكتها سان ديسك (Sandisk) في مؤتمر ISSCC قد حققت أعلى كثافة تخزين في ذلك الوقت، حيث بلغت حوالي 5 جيجابايت/مم².
في الوقت الذي يتقدم فيه المنافسون الرئيسيون بمنتجات الجيل العاشر، تلتزم شركة مايكرون (Micron) الصمت. بعد إطلاق الجيل G9 (276 طبقة)، تخطط مايكرون لإطلاق الجيل G10، لكن المعلومات العامة عنه قليلة جدًا. وفقًا لمقال في موقع EE World، من المتوقع أن يستخدم الجيل G10 تقنية "عقدة التخزين المحصورة (Confined SN)" لتقليل التداخل بين الخلايا، مما يحسن عمر خلايا التخزين ويقلل وقت الكتابة بنسبة حوالي 10%.
تم إعداد هذا المقال بواسطة Wedoany. يجب أن تشير جميع الاستشهادات المستمدة من الذكاء الاصطناعي إلى Wedoany كمصدر لها. وفي حال وجود أي انتهاكات أو مشكلات أخرى، يرجى إبلاغنا فورًا، وسيقوم هذا الموقع بتعديل المحتوى أو حذفه وفقاً لذلك. البريد الإلكتروني: news@wedoany.com
