أخبار ar.wedoany.com، في 30 يونيو، كشف كبير مسؤولي التكنولوجيا ورئيس معهد أشباه الموصلات في شركة سامسونغ للإلكترونيات، خلال اجتماع إدارة داخلي لوحدة حلول الأجهزة DS، عن أحدث التطورات في تقنيتين أساسيتين للذاكرة، وهما ذاكرة HBM4E عالية النطاق الترددي المخصصة للجيل القادم من الذكاء الاصطناعي، وتقنية D1d من الجيل السابع لعملية DRAM بمقياس 10 نانومتر.
وفيما يتعلق بتطورات منتج HBM4E، كشف المسؤول التنفيذي خلال الاجتماع أن نسبة الإنتاجية في اختبارات الموثوقية الحالية قد تجاوزت 70%. وفقًا للمعايير العامة في الصناعة، تعتبر نسبة الإنتاجية التي تصل إلى 80% أو أعلى بمثابة عتبة نضج يتم عندها تثبيت العملية وتأهيلها للإنتاج الضخم المستقر. بالنظر إلى المرحلة الحالية للمنتج، لا يزال HBM4E في مرحلة إرسال العينات لاختبارات الموثوقية، ولم يدخل بعد دورة التوسع في الإنتاج الضخم. وتعتبر نسبة الإنتاجية التي تزيد عن 70% في الاختبارات إشارة رئيسية في سلسلة الصناعة، مما يعني أن تطوير مجموعة عمليات التكديس والتغليف والاختبار قد دخل مرحلة الاستقرار والتقارب، مما يبشر بتسارع وتيرة تحسين الإنتاجية في المراحل اللاحقة.
تُظهر خارطة الطريق العامة للمنتجات أن سامسونغ قد بدأت بالفعل في شحن أول دفعة من ذاكرة HBM4 بكميات تجارية في فبراير من هذا العام، وفي 29 مايو أصدرت رسميًا المواصفات الفنية الكاملة لذاكرة HBM4E بتكوين 12 طبقة، وقامت بإرسال عينات هندسية بكميات كبيرة إلى كبار عملاء الرقائق العالمية في مجال الذكاء الاصطناعي.
يتميز تحديد موقع المنتج بفصل واضح بين الجيلين المتعاقبين، حيث ستكون ذاكرة HBM4 مخصصة لشريحة تسريع الذكاء الاصطناعي Vera Rubin من شركة NVIDIA التي سيتم إطلاقها في النصف الثاني من العام، بينما تخطط النسخة المطورة HBM4E لتزويد الجيل الجديد من أجهزة الحوسبة Vera Rubin Ultra من NVIDIA المقرر إطلاقها العام المقبل. تعتمد ذاكرة HBM4E ذات 12 طبقة على عملية DRAM من الجيل السادس 1C، بسرعة أساسية لمنافذ البيانات تبلغ 14 جيجابت في الثانية وقابلة للتوسيع حتى 16 جيجابت في الثانية، مع تحسين شامل في مؤشرات النطاق الترددي وتبديد الحرارة وكفاءة الطاقة مقارنة بـ HBM4، وهي مصممة خصيصًا لسيناريوهات الحوسبة عالية الأداء مثل تدريب النماذج فائقة الكبرى ومراكز البيانات عالية الكثافة.
في نفس الاجتماع الداخلي، قدم المسؤولون التنفيذيون في سامسونغ أيضًا تطورات عملية التصنيع من الجيل التالي لذاكرة DRAM. تحمل عملية DRAM من الجيل السابع في نطاق 10 نانومتر الاسم الرمزي D1d، ويقيمها الفريق الداخلي للشركة على أنها تمتلك ميزة تنافسية تقنية متقدمة على المنافسين. الجدول الزمني للمشروع واضح، حيث يستهدف إكمال شهادة تأهيل الإنتاج (PRA) بحلول نوفمبر 2026. تعتبر شهادة PRA هي المرحلة الأساسية التي تسبق انتقال عملية DRAM من مرحلة البحث والتطوير إلى مرحلة التحضير للإنتاج الضخم، وبعد اجتيازها، ستبدأ الشركة رسميًا في إدخال معدات الإنتاج الضخم بكميات كبيرة، وتعديل خطوط الإنتاج النظيفة، وإجراء تجارب الإنتاج بكميات كبيرة.
تشير البيانات إلى أن D1d هي عقدة DRAM من الجيل السابع التي تخطط لها سامسونغ، ويقع عرض الخط فيها بين 10 و11 نانومتر، مما يمثل تصغيرًا إضافيًا مقارنة بعملية DRAM التجارية الحالية من الجيل السادس 1C. تعتمد D1d بنية خلية جديدة مقترنة بترانزستورات GAAFET، مما يحسن كثافة تخزين الرقاقة لكل وحدة وقدرات التحكم في استهلاك الطاقة بشكل متزامن، وستكون بمثابة رقاقة الذاكرة الأساسية للجيل القادم من ذاكرة HBM5 عالية النطاق الترددي.
في الوقت الحالي، كشفت سامسونغ عن هذه المؤشرات التقنية والخطط الزمنية فقط خلال الاجتماع الإداري الداخلي، ولم تصدر بيانًا رسميًا كاملاً للجمهور، ولم تعلن بعد عن الجدول الزمني للإنتاج الضخم لـ HBM4E، أو خطة شراء المعدات التفصيلية لعملية D1d، أو حجم الطاقة الإنتاجية الجديدة.
