أخبار ar.wedoany.com، أعلنت شركة نافيتاس سيميكوندوكتور (Navitas Semiconductor) وشركة ماغناتشيب سيميكوندوكتور كوربوريشن (Magnachip Semiconductor Corporation) عن إقامة شراكة استراتيجية، بموجبها ستحصل ماغناتشيب على ترخيص لتقنية "جين-إس آي سي" (GeneSiC) من نوع TAP (الأخدود المساعد المستوي) من نافيتاس، بهدف تسريع تطبيق تقنية كربيد السيليكون (SiC) في أسواق الطاقة الكهربائية ذات الجهد العالي (HV) والجهد العالي جداً (UHV).

وبموجب الاتفاقية، يغطي الترخيص الممنوح لماغناتشيب تقنية GeneSiC بفئات جهد 1200 فولت و2300 فولت و3300 فولت وما فوق. وتخطط ماغناتشيب لتطوير منتجات تطبيقية مخصصة لتحويل الطاقة من الجيل التالي، بالاعتماد على منصة أجهزة SiC الناضجة من نافيتاس. وستقوم نافيتاس بتزويدها بدعم سلسلة التوريد والمواد الخاصة بـ SiC لمساعدتها على دخول السوق بشكل أسرع. ويتوقع الطرفان أن يؤدي هذا التعاون، بعد نقل التقنية والاعتماد والتوطين في مصنع ماغناتشيب في كوريا الجنوبية، إلى تسريع دخول ماغناتشيب إلى مجال SiC، مع الحفاظ على الاستمرارية مع قاعدة التقنية والمواد الحالية لنافيتاس.
من المتوقع أن تدعم التقنية المرخصة التطبيقات من الجيل التالي، بما في ذلك البنية التحتية للطاقة والشبكات الكهربائية، وتخزين الطاقة، والكهربة الصناعية، والسيارات، وغيرها من أنظمة الطاقة العالية. وأشارت نافيتاس وماغناتشيب إلى أن تقنية SiC تؤثر بشكل مباشر على مجالات مثل السيارات الكهربائية والطاقة المتجددة ومراكز بيانات الذكاء الاصطناعي والفضاء، لكن نطاق تعاون الشركتين لا يقتصر على ذلك. وأوضح الطرفان في بيانهما الصحفي أن النطاق الكامل للتعاون "من المتوقع الإعلان عنه بالتفصيل في وقت لاحق".
وصرح كريس ألكسندر (Chris Allexandre)، رئيس مجلس الإدارة والرئيس التنفيذي لشركة نافيتاس، بأن هذه الشراكة الاستراتيجية تعكس الرؤية طويلة المدى للشركة في توسيع تطبيقات GeneSiC في أسواق الطاقة ذات الجهد العالي والجهد العالي جداً. ومن خلال ترخيص التقنية ودعم سلسلة التوريد والنظام البيئي للمواد، يفتتح الطرفان مساراً أسرع لتوسيع نطاق حلول SiC المتقدمة، ويعززان تعاوناً أعمق وأطول أمداً بينهما. من جانبه، قال تشاي لي (Chae Lee)، الرئيس التنفيذي لشركة ماغناتشيب، إن هذه الاتفاقية تفتح أمام ماغناتشيب فرصاً سوقية جديدة ومهمة في مجال SiC عالي الجهد وعالي الجهد جداً، وإن إضافة تقنية GeneSiC تكمل محفظتها الحالية من ترانزستورات MOSFET وأشباه الموصلات للطاقة، مما يمكنها من خدمة العملاء الذين يحتاجون إلى حلول تحويل طاقة أكثر كفاءة وقدرة على تحمل جهد أعلى وموثوقية أكبر.
تتخصص شركة نافيتاس سيميكوندوكتور في مجال أشباه الموصلات للطاقة من الجيل التالي، ولا سيما تقنيات نيتريد الغاليوم (GaN) وكربيد السيليكون (SiC) عالي الجهد، مما يدفع عجلة الابتكار في مجالات مثل مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء والبنية التحتية للطاقة والشبكات الكهربائية والكهربة الصناعية. بينما تقوم شركة ماغناتشيب سيميكوندوكتور بتصميم وتصنيع منصات حلول أشباه الموصلات التناظرية والمختلطة للطاقة المستخدمة في القطاعات الصناعية والسيارات والاتصالات والاستهلاكية والحوسبة. وخلص الطرفان إلى أن هذا التعاون يهدف إلى تسريع تطبيق تقنية كربيد السيليكون عالي الجهد وعالي الجهد جداً، وذلك من خلال ترخيص التقنية ودعم سلسلة التوريد والاعتماد التقني في مصنع ماغناتشيب في كوريا، لدعم تطبيقات تحويل الطاقة من الجيل التالي في العديد من أسواق الطاقة العالية.










